第438章 光刻机项目：另辟蹊径 (第2/8页)

就说分辨率，如果制作出来的电路图模糊不清，那芯片肯定不好。

    光刻机其它的指标，也可以比喻成画笔的性能就行了。

    并不是说，沐阳不能搞光刻机了，只是说，再搞duv和euv光刻机，绕不开以上三家企业的技术专利保护范围。

    所以，他只能另辟蹊径。

    很久之前，沐阳就想到过电子束光刻机。

    原本，再过几年，漂亮国的一个实验室研发出一套名为zylitho1的光刻系统，基于stm扫描隧道显微镜，使用的是ebl（e-beaithography）电子束光刻方式，制造出了0.7n宽的芯片，只是没法实现批量生产，或者成本高过。

    沐阳相信，如果是技术成熟的电子束光刻机，线宽比0.7n小。

    他在系统商店普通货架上默念「电子束光刻机」，很快，出几款相关技术。

    沐阳选择适合自己公司的一款技术：ebl01

    技术参数：

    1.最小线宽：小于1nbr/>

    2.加速电压：5—500kv

    3.电子束直径：小于0.5nbr/>

    4.套刻精度：1nan＋0.20）

    5.拼接精度：1nan＋0.20）

    6.加工晶圆尺寸：4—18英寸

    7.描电镜分辨率：小于0.2nbr/>

    主要特点：

    1.采用超高亮度和超高稳定性的tfe电子枪；

    2.出色的电子束偏转控制技术；

    3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率可达0.0002n

    4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.002ad；

    5.应用领域广